Показано, что только при таком учете удается непротиворечиво объяснить экспериментально наблюдаемые биржа значения массовых ТПЭ. Проведенный в работе анализ позволит выполнять более детальное прогнозирование работоспособности полупроводниковых приборов в реальных, в частности космических, условиях. КОЛГАТИН Сергей Николаевич — доктор технических наук, заведующий кафедрой физики Санкт-Петербургского государственного университета телекоммуникаций им. Бонч-Бруевича, Санкт-Петербург, Российская Федерация.

1. КОЛГАТИН Сергей Николаевич — доктор технических наук, заведующий кафедрой физики Санкт-Петербургского государственного университета телекоммуникаций им.
2. КОЗЛОВСКИЙ Виталий Васильевич — доктор физико-математических наук, профессор кафедры экспериментальной физики Санкт-Петербургского политехнического университета Петра Великого, Санкт-Петербург, Российская Федерация.
3. Показано, что только при таком учете удается непротиворечиво объяснить экспериментально наблюдаемые значения массовых ТПЭ.
4. Проведенный в работе анализ позволит выполнять более детальное прогнозирование работоспособности полупроводниковых приборов в реальных, в частности космических, условиях.
5. Бонч-Бруевича, Санкт-Петербург, Российская Федерация.
6. Выполнен анализ массовых тормозных потерь энергии (ТПЭ) релятивистских электронов в различных материалах, используемых в полупроводниковой электронике.

КОЗЛОВСКИЙ Виталий Васильевич — доктор физико-математических наук, профессор кафедры экспериментальной физики Санкт-Петербургского политехнического университета the most commonly used semiconductor is Петра Великого, Санкт-Петербург, Российская Федерация. Выполнен анализ массовых тормозных потерь энергии (ТПЭ) релятивистских электронов в различных материалах, используемых в полупроводниковой электронике. Особое внимание уделено учету процессов «внутренней» ионизации, приводящей к образованию электронно-дырочных пар в полупроводниках и диэлектриках.